quang tử silicon

Trung Quốc nói đạt được đột phá có thể vượt qua rào cản thiết kế chip giữa lệnh trừng phạt từ Mỹ

Trung Quốc nói đạt được đột phá có thể vượt qua rào cản thiết kế chip giữa lệnh trừng phạt từ Mỹ

một tháng trước Nhịp đập khoa học
Một phòng thí nghiệm có trụ sở tại thành phố Vũ Hán vừa công bố cột mốc có thể giúp Trung Quốc vượt qua những hạn chế do công nghệ thiết kế chip truyền thống áp đặt.

Cơ quan chủ quản: Hội Thông tin Khoa học và Công nghệ Việt Nam.

ĐC: 24 Lý Thường Kiệt, Hàng Bài, Hoàn Kiếm, Hà Nội.

ĐT: 024.38256203

Tổng biên tập: Hoàng Đại Thanh

Tổng Thư ký Tòa soạn: Nguyễn Đình Mười

Giấy phép số 77/GP-BTTTT do Bộ Thông tin và Truyền thông cấp ngày 26 tháng 2 năm 2020.

Tòa nhà SIMCO Sông Đà, Tiểu KĐT mới Vạn Phúc, Phường Vạn Phúc, Quận Hà Đông, TP. Hà Nội

ĐT: 0984708866

TPHCM: 345/134 Trần Hưng Đạo, phường Cầu Kho, Quận 1

ĐT:

Email: toasoan

Hotline quảng cáo: 0764575985

Email quảng cáo: sales

Báo giá quảng cáo:

Công ty Cổ phần Truyền thông Một Thế Giới

POWERED BY ONECMS - A PRODUCT OF NEKO